IPD90P04P405ATMA2 vs BSZ018NE2LSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD90P04P405ATMA2 par Infineon et BSZ018NE2LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD90P04P405ATMA2 BSZ018NE2LSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,69 $0,31
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) -90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD, Tc) 125 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V 4.7 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (Tj) -55C to +150C
Boîtier PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Process Technology OptiMOS-P2 (trench + field plate) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 25V
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Continuous Drain Current (TA) — 23 A
Continuous Drain Current (TC) — 40 A
Power Dissipation (TA) — 2.1 W
Power Dissipation (TC) — 69 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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