IPD90P04P405ATMA2 vs BSZ018NE2LSATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD90P04P405ATMA2 メーカー: Infineon および BSZ018NE2LSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 - P-Channel 40V 90A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90P04P405ATMA2 - P-Channel 40V 90A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90P04P405ATMA2 ✓ 生産中
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BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LSATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET, 23A/40A | Infineon

BSZ018NE2LSATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET, 23A/40A | Infineon

BSZ018NE2LSATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD90P04P405ATMA2 BSZ018NE2LSATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.69 $0.31
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) -90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD, Tc) 125 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V 4.7 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (Tj) -55C to +150C
パッケージ PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
Process Technology OptiMOS-P2 (trench + field plate) —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 25V
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Continuous Drain Current (TA) — 23 A
Continuous Drain Current (TC) — 40 A
Power Dissipation (TA) — 2.1 W
Power Dissipation (TC) — 69 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes

データシート&リソース

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