IPD90P04P405ATMA2 vs BSZ018NE2LSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD90P04P405ATMA2 por Infineon e BSZ018NE2LSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD90P04P405ATMA2 BSZ018NE2LSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,69 $0,31
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) -90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD, Tc) 125 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V 4.7 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (Tj) -55C to +150C
Encapsulamento PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Process Technology OptiMOS-P2 (trench + field plate) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 25V
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Continuous Drain Current (TA) — 23 A
Continuous Drain Current (TC) — 40 A
Power Dissipation (TA) — 2.1 W
Power Dissipation (TC) — 69 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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