IPD90P04P405ATMA2 vs IPB120P04P4L03ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD90P04P405ATMA2 por Infineon y IPB120P04P4L03ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD90P04P405ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,69 $1,74
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) -90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD, Tc) 125 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V 4.7 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C (Tj) —
Encapsulado PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
Process Technology OptiMOS-P2 (trench + field plate) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Estado RoHS Compliant Compliant (per Infineon product page)
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 120 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 136 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET

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