IPD90P04P405ATMA2 vs IPB120P04P4L03ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD90P04P405ATMA2 por Infineon e IPB120P04P4L03ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD90P04P405ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,69 $1,74
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) -90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD, Tc) 125 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V 4.7 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (Tj) —
Encapsulamento PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
Process Technology OptiMOS-P2 (trench + field plate) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Status RoHS Compliant Compliant (per Infineon product page)
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 120 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 136 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET

Fichas técnicas e recursos

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