IPD90P04P405ATMA2 vs IPB120P04P4L03ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD90P04P405ATMA2 par Infineon et IPB120P04P4L03ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD90P04P405ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,69 $1,74
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) -90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD, Tc) 125 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V 4.7 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (Tj) —
Boîtier PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
Process Technology OptiMOS-P2 (trench + field plate) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS Compliant Compliant (per Infineon product page)
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 120 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 136 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET

Fiches techniques et ressources

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