IPG20N04S408ATMA1 vs IPG20N06S2L65ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPG20N04S408ATMA1 por Infineon y IPG20N06S2L65ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPG20N04S408ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $1,05
FET Type Dual N-Channel Dual N-Channel, Logic Level
Technology OptiMOS (trench MOSFET) OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, per channel) 20 A at 25 degC case —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 7.6 mOhm —
Maximum Power Dissipation (P_D) 65 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 degC to +175 degC —
Encapsulado PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL1 (260 degC peak reflow) MSL1 (260°C peak reflow)
AEC-Q101 Qualified Yes —
Estado RoHS Compliant (Green Product) —
Avalanche Rated 100 percent tested —
Channel Count 2 (independent) —
Operating Mode Enhancement mode, Normal Level —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A per channel
RDS(on) at VGS=10V — 65 mΩ typical
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (logic level)
Total Power Dissipation (Ptot) — 43 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55°C to +175°C
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
RoHS Compliance — RoHS Compliant (Green Product)
Packaging — Tape & Reel (TMA1 suffix)

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