IPG20N04S408ATMA1 vs IPG20N06S2L65ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N04S408ATMA1 par Infineon et IPG20N06S2L65ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPG20N04S408ATMA1 | IPG20N06S2L65ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,78 | $1,05 |
| FET Type | Dual N-Channel | Dual N-Channel, Logic Level |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, per channel) | 20 A at 25 degC case | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 7.6 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (P_D) | 65 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 degC to +175 degC | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL1 (260 degC peak reflow) | MSL1 (260°C peak reflow) |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant (Green Product) | — |
| Avalanche Rated | 100 percent tested | — |
| Channel Count | 2 (independent) | — |
| Operating Mode | Enhancement mode, Normal Level | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A per channel |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 65 mΩ typical |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.5 V (logic level) |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 43 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55°C to +175°C |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |
| RoHS Compliance | — | RoHS Compliant (Green Product) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TMA1 suffix) |