IPG20N04S408ATMA1 vs IPG20N06S2L65ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPG20N04S408ATMA1 제조: Infineon 및 IPG20N06S2L65ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPG20N04S408ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.78 $1.05
FET Type Dual N-Channel Dual N-Channel, Logic Level
Technology OptiMOS (trench MOSFET) OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, per channel) 20 A at 25 degC case —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 7.6 mOhm —
Maximum Power Dissipation (P_D) 65 W —
동작 접합 온도 -55 degC to +175 degC —
패키지 PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 MSL1 (260 degC peak reflow) MSL1 (260°C peak reflow)
AEC-Q101 Qualified Yes —
RoHS 상태 Compliant (Green Product) —
Avalanche Rated 100 percent tested —
Channel Count 2 (independent) —
Operating Mode Enhancement mode, Normal Level —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A per channel
RDS(on) at VGS=10V — 65 mΩ typical
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (logic level)
Total Power Dissipation (Ptot) — 43 W
동작 온도 범위 — -55°C to +175°C
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
RoHS Compliance — RoHS Compliant (Green Product)
Packaging — Tape & Reel (TMA1 suffix)

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