IPL65R200CFD7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPL65R200CFD7AUMA1 por Infineon y IPL60R105P7AUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPL65R200CFD7AUMA1 IPL65R200CFD7AUMA1 - 650V 14A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL65R200CFD7AUMA1 - 650V 14A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL65R200CFD7AUMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPL65R200CFD7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,52 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS CFD7 CoolMOS P7
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 14 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 81 W —
On-Resistance (RDS(on)) 0.2 ohm at VGS=10V, ID=5.2A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Encapsulado PG-VSON-4 PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C (TJ) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg value] —
Body Diode Fast-recovery intrinsic —
Gate-Source ESD Protection Yes (integrated) —
Estado RoHS Compliant Compliant
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C
Channel Type — N-Channel
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Sin halógenos — Yes
Lead-Free — Yes

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