IPL65R200CFD7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 比較
詳細な並列比較: IPL65R200CFD7AUMA1 メーカー: Infineon および IPL60R105P7AUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IPL65R200CFD7AUMA1 | IPL60R105P7AUMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.52 | $0.82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS CFD7 | CoolMOS P7 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 14 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 81 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 0.2 ohm at VGS=10V, ID=5.2A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Technology | CoolMOS Superjunction (SJ) | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET |
| パッケージ | PG-VSON-4 | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg value] | — |
| Body Diode | Fast-recovery intrinsic | — |
| Gate-Source ESD Protection | Yes (integrated) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 105 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | — | 137 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 45 nC |
| 動作温度範囲 | — | -55C to +150C |
| Channel Type | — | N-Channel |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |