IPL65R200CFD7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPL65R200CFD7AUMA1 par Infineon et IPL60R105P7AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPL65R200CFD7AUMA1 IPL65R200CFD7AUMA1 - 650V 14A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL65R200CFD7AUMA1 - 650V 14A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL65R200CFD7AUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPL65R200CFD7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,52 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS CFD7 CoolMOS P7
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 14 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 81 W —
On-Resistance (RDS(on)) 0.2 ohm at VGS=10V, ID=5.2A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Boîtier PG-VSON-4 PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C (TJ) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg value] —
Body Diode Fast-recovery intrinsic —
Gate-Source ESD Protection Yes (integrated) —
Statut RoHS Compliant Compliant
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C
Channel Type — N-Channel
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Sans halogène — Yes
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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