IPN95R1K2P7ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPN95R1K2P7ATMA1 por Infineon y IPN95R3K7P7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,36 $0,44
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS P7 (Super Junction) Super-junction (CoolMOS P7)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 950 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 6 A —
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V 1200 mOhm (1.2 Ohm) —
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) 10 V —
Power Dissipation (T_C) 7 W —
Encapsulado SOT-223-3 (PG-SOT223) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (2 + Tab) —
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C —
Packaging Tape & Reel —
Estado RoHS Compliant Compliant
Part Status Active —
Manufacturer — Infineon Technologies
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 950 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 2.0 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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