IPN95R1K2P7ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPN95R1K2P7ATMA1 メーカー: Infineon および IPN95R3K7P7ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN95R1K2P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN95R1K2P7ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.36 $0.44
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS P7 (Super Junction) Super-junction (CoolMOS P7)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 950 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 6 A —
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V 1200 mOhm (1.2 Ohm) —
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) 10 V —
Power Dissipation (T_C) 7 W —
パッケージ SOT-223-3 (PG-SOT223) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (2 + Tab) —
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
動作温度範囲 -55C to +150C —
Packaging Tape & Reel —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Part Status Active —
Manufacturer — Infineon Technologies
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 950 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 2.0 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
動作接合温度 — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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