IPN95R1K2P7ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPN95R1K2P7ATMA1 제조: Infineon 및 IPN95R3K7P7ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPN95R1K2P7ATMA1 | IPN95R3K7P7ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.36 | $0.44 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | CoolMOS P7 (Super Junction) | Super-junction (CoolMOS P7) |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 950 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 6 A | — |
| Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V | 1200 mOhm (1.2 Ohm) | — |
| Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) | 10 V | — |
| Power Dissipation (T_C) | 7 W | — |
| 패키지 | SOT-223-3 (PG-SOT223) | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 3 (2 + Tab) | — |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Part Status | Active | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 950 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 2.0 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 6 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 3700 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| 동작 접합 온도 | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |