IPP60R180P7XKSA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPP60R180P7XKSA1 por Infineon y IPL60R105P7AUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPP60R180P7XKSA1 IPL60R105P7AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,30 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C -55C to +150C
Encapsulado PG-TO220-3 (through-hole) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount
Número de pines 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Nivel MSL N/A (through-hole) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series — CoolMOS P7
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Channel Type — N-Channel
Sin halógenos — Yes

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