IPP60R180P7XKSA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPP60R180P7XKSA1 par Infineon et IPL60R105P7AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPP60R180P7XKSA1 IPL60R105P7AUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,30 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C -55C to +150C
Boîtier PG-TO220-3 (through-hole) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Type de montage Through Hole Surface Mount
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Niveau MSL N/A (through-hole) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series — CoolMOS P7
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Channel Type — N-Channel
Sans halogène — Yes

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