IPP60R180P7XKSA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPP60R180P7XKSA1 por Infineon e IPL60R105P7AUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPP60R180P7XKSA1 IPL60R105P7AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,30 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C -55C to +150C
Encapsulamento PG-TO220-3 (through-hole) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Número de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Nível MSL N/A (through-hole) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series — CoolMOS P7
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Channel Type — N-Channel
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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