IPP60R180P7XKSA1 vs IPW60R041C6FKSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPP60R180P7XKSA1 por Infineon y IPW60R041C6FKSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPP60R180P7XKSA1 IPW60R041C6FKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo NRND
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,30 $5,40
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C -55°C to +150°C
Encapsulado PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Número de pines 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Nivel MSL N/A (through-hole) Not Applicable (Through-hole)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 77.5 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 481 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 41 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V typical
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr value]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf value]

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