IPP60R180P7XKSA1 vs IPW60R041C6FKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPP60R180P7XKSA1 par Infineon et IPW60R041C6FKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPP60R180P7XKSA1 IPW60R041C6FKSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,30 $5,40
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C -55°C to +150°C
Boîtier PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
Type de montage Through Hole Through Hole
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Niveau MSL N/A (through-hole) Not Applicable (Through-hole)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 77.5 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 481 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 41 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V typical
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr value]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf value]

Fiches techniques et ressources

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