IPT012N08N5ATMA1 vs IPT067N20NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPT012N08N5ATMA1 por Infineon y IPT067N20NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPT012N08N5ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,32 $4,85
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT012N08N5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 Trench-gate OptiMOS 6 silicon
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.2 mOhm —
Total Gate Charge QG 208 nC —
Gate-to-Drain Charge QGD 178 nC —
Power Dissipation (PD, TC) 375 W —
Encapsulado PG-HSOF-8 (TOLL) PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (TJ max) -55C to +150C (junction)
Estado RoHS Compliant Compliant
Qualification JEDEC JESD47, JESD22, J-STD-020 (industrial) —
Product Family — OptiMOS 6
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 15.3 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 137 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
On-Resistance RDS(on) typ — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Lead-Free — Yes
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Configuration — Single N-channel

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