IPT012N08N5ATMA1 vs IPT067N20NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPT012N08N5ATMA1 por Infineon e IPT067N20NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPT012N08N5ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,32 $4,85
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT012N08N5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 Trench-gate OptiMOS 6 silicon
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.2 mOhm —
Total Gate Charge QG 208 nC —
Gate-to-Drain Charge QGD 178 nC —
Power Dissipation (PD, TC) 375 W —
Encapsulamento PG-HSOF-8 (TOLL) PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (TJ max) -55C to +150C (junction)
Status RoHS Compliant Compliant
Qualification JEDEC JESD47, JESD22, J-STD-020 (industrial) —
Product Family — OptiMOS 6
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 15.3 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 137 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
On-Resistance RDS(on) typ — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Lead-Free — Yes
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Configuration — Single N-channel

Fichas técnicas e recursos

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