IPT012N08N5ATMA1 vs IPT067N20NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT012N08N5ATMA1 par Infineon et IPT067N20NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT012N08N5ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,32 $4,85
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT012N08N5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 Trench-gate OptiMOS 6 silicon
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.2 mOhm —
Total Gate Charge QG 208 nC —
Gate-to-Drain Charge QGD 178 nC —
Power Dissipation (PD, TC) 375 W —
Boîtier PG-HSOF-8 (TOLL) PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (TJ max) -55C to +150C (junction)
Statut RoHS Compliant Compliant
Qualification JEDEC JESD47, JESD22, J-STD-020 (industrial) —
Product Family — OptiMOS 6
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 15.3 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 137 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
On-Resistance RDS(on) typ — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Configuration — Single N-channel

Fiches techniques et ressources

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