IPT022N10NF2SATMA1 vs IRFS4227TRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPT022N10NF2SATMA1 por Infineon y IRFS4227TRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPT022N10NF2SATMA1 IRFS4227TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,99 $2,38
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family StrongIRFET 2 —
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 236 A —
Typical RDS(on) at VGS=10V 2.2 mΩ —
Power Dissipation at Ta 3.8 W —
Power Dissipation at Tc 250 W —
Encapsulado PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab) D2PAK (TO-263), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET HEXFET, IR MOSFET
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -40C to +150C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] 70 nC
Estado RoHS Compliant Compliant
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc = 25C — 62 A
Maximum Power Dissipation (PD) @ Tc = 25C — 330 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS = 10V — 26 mOhm
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±30 V
Configuration — Single with built-in diode
Case Connection — DRAIN
Nivel MSL — 1 (unlimited)
Key Application — PDP Sustain / Energy Recovery Switch

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