IPT022N10NF2SATMA1 vs IRFS4227TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT022N10NF2SATMA1 par Infineon et IRFS4227TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT022N10NF2SATMA1 IRFS4227TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,99 $2,38
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family StrongIRFET 2 —
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 236 A —
Typical RDS(on) at VGS=10V 2.2 mΩ —
Power Dissipation at Ta 3.8 W —
Power Dissipation at Tc 250 W —
Boîtier PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab) D2PAK (TO-263), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET HEXFET, IR MOSFET
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -40C to +150C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] 70 nC
Statut RoHS Compliant Compliant
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc = 25C — 62 A
Maximum Power Dissipation (PD) @ Tc = 25C — 330 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS = 10V — 26 mOhm
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±30 V
Configuration — Single with built-in diode
Case Connection — DRAIN
Niveau MSL — 1 (unlimited)
Key Application — PDP Sustain / Energy Recovery Switch

Fiches techniques et ressources

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