IPW60R180P7XKSA1 vs IPA60R180P7SXKSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPW60R180P7XKSA1 por Infineon y IPA60R180P7SXKSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPW60R180P7XKSA1 IPA60R180P7SXKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,60 $0,74
Technology CoolMOS P7 (Superjunction, 7th generation) Superjunction (SJ) N-channel MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
On-Resistance RDS(on) max 180 mOhm —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (Pd, Tc=25C) 72 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V —
Gate Drive Voltage (VGS, recommended) 10 V (typical), +/-20 V max —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C —
Encapsulado PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole, 3+tab pins) PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Body Diode Fast body diode with low reverse recovery (Qrr) —
Integrated Gate Resistor Yes —
Estado RoHS Compliant Compliant
Orderable Part Number IPW60R180P7XKSA1 (tube pack, industrial grade) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 180 mOhm (max at 25C)
Power Dissipation (PD) at Tc — 26 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction)
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
Lead-Free — Yes

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