IPW60R180P7XKSA1 vs IPA60R180P7SXKSA1 比較

詳細な並列比較: IPW60R180P7XKSA1 メーカー: Infineon および IPA60R180P7SXKSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 - 600V CoolMOS P7 180mOhm MOSFET | Infineon

IPA60R180P7SXKSA1 - 600V CoolMOS P7 180mOhm MOSFET | Infineon

IPA60R180P7SXKSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPW60R180P7XKSA1 IPA60R180P7SXKSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.60 $0.74
Technology CoolMOS P7 (Superjunction, 7th generation) Superjunction (SJ) N-channel MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
On-Resistance RDS(on) max 180 mOhm —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (Pd, Tc=25C) 72 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V —
Gate Drive Voltage (VGS, recommended) 10 V (typical), +/-20 V max —
動作接合温度 -55C to +150C —
パッケージ PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole, 3+tab pins) PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads)
実装タイプ Through Hole Through Hole
Body Diode Fast body diode with low reverse recovery (Qrr) —
Integrated Gate Resistor Yes —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Orderable Part Number IPW60R180P7XKSA1 (tube pack, industrial grade) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 180 mOhm (max at 25C)
Power Dissipation (PD) at Tc — 26 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
動作温度範囲 — -55C to +150C (junction)
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
Lead-Free — Yes

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