IPW60R180P7XKSA1 vs IPA60R180P7SXKSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPW60R180P7XKSA1 por Infineon e IPA60R180P7SXKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPW60R180P7XKSA1 IPA60R180P7SXKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,60 $0,74
Technology CoolMOS P7 (Superjunction, 7th generation) Superjunction (SJ) N-channel MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
On-Resistance RDS(on) max 180 mOhm —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (Pd, Tc=25C) 72 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V —
Gate Drive Voltage (VGS, recommended) 10 V (typical), +/-20 V max —
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Encapsulamento PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole, 3+tab pins) PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Body Diode Fast body diode with low reverse recovery (Qrr) —
Integrated Gate Resistor Yes —
Status RoHS Compliant Compliant
Orderable Part Number IPW60R180P7XKSA1 (tube pack, industrial grade) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 180 mOhm (max at 25C)
Power Dissipation (PD) at Tc — 26 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (junction)
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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