IPW60R180P7XKSA1 vs IPA60R180P7SXKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPW60R180P7XKSA1 par Infineon et IPA60R180P7SXKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPW60R180P7XKSA1 IPA60R180P7SXKSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,60 $0,74
Technology CoolMOS P7 (Superjunction, 7th generation) Superjunction (SJ) N-channel MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
On-Resistance RDS(on) max 180 mOhm —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (Pd, Tc=25C) 72 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V —
Gate Drive Voltage (VGS, recommended) 10 V (typical), +/-20 V max —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole, 3+tab pins) PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads)
Type de montage Through Hole Through Hole
Body Diode Fast body diode with low reverse recovery (Qrr) —
Integrated Gate Resistor Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
Orderable Part Number IPW60R180P7XKSA1 (tube pack, industrial grade) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 180 mOhm (max at 25C)
Power Dissipation (PD) at Tc — 26 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
Lead-Free — Yes

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