IPW65R041CFD vs STI38N65M5 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPW65R041CFD por Infineon y STI38N65M5 por STMicroelectronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPW65R041CFD STI38N65M5
Marca Infineon STMicroelectronics
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,68 $2,19
Polarity N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement —
Technology CoolMOS CFD2 (superjunction, fast body diode) —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 650 V —
On-Resistance RDS(on) 41 mOhm —
Continuous Drain Current ID 68.5 A (Tc) —
Power Dissipation PD 500 W (Tc) —
Total Gate Charge Qg 300 nC —
Gate-Source Voltage VGS [DATA_NEEDED: VGS rating] —
Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Thermal Resistance RthJC [DATA_NEEDED: RthJC] —
Body Diode Integrated fast body diode —
Encapsulado PG-TO247-3 (TO-247, through-hole) TO-247
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Package Color / Material Green plastic (halogen-aware molding per digchip listing) —
Estado RoHS Compliant (GREEN package per digchip specification listing) Compliant
Application Segment Industrial —
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 152 A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
On-Resistance (RDS(on)) — 0.099 ohm (typical)
Total Gate Charge (Qg) — 110 nC
Input Capacitance (Ciss) — 4200 pF
Output Capacitance (Coss) — 180 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 12 pF
Avalanche Energy (EAS) — 1.2 J
Rango de temperatura de funcionamiento — -55°C to +150°C
Sin halógenos — Yes

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