IPW65R041CFD vs STI38N65M5 比較

詳細な並列比較: IPW65R041CFD メーカー: Infineon および STI38N65M5 メーカー: STMicroelectronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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STI38N65M5 STI38N65M5 - 650V 38A N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STI38N65M5 - 650V 38A N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STI38N65M5 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPW65R041CFD STI38N65M5
ブランド Infineon STMicroelectronics
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.68 $2.19
Polarity N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement —
Technology CoolMOS CFD2 (superjunction, fast body diode) —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 650 V —
On-Resistance RDS(on) 41 mOhm —
Continuous Drain Current ID 68.5 A (Tc) —
Power Dissipation PD 500 W (Tc) —
Total Gate Charge Qg 300 nC —
Gate-Source Voltage VGS [DATA_NEEDED: VGS rating] —
Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Thermal Resistance RthJC [DATA_NEEDED: RthJC] —
Body Diode Integrated fast body diode —
パッケージ PG-TO247-3 (TO-247, through-hole) TO-247
実装タイプ Through Hole Through Hole
Package Color / Material Green plastic (halogen-aware molding per digchip listing) —
RoHS ステータス Compliant (GREEN package per digchip specification listing) Compliant
Application Segment Industrial —
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 152 A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
On-Resistance (RDS(on)) — 0.099 ohm (typical)
Total Gate Charge (Qg) — 110 nC
Input Capacitance (Ciss) — 4200 pF
Output Capacitance (Coss) — 180 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 12 pF
Avalanche Energy (EAS) — 1.2 J
動作温度範囲 — -55°C to +150°C
ハロゲンフリー — Yes

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