IPW65R041CFD vs STI38N65M5 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPW65R041CFD 제조: Infineon 및 STI38N65M5 제조: STMicroelectronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPW65R041CFD STI38N65M5
브랜드 Infineon STMicroelectronics
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $4.68 $2.19
Polarity N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement —
Technology CoolMOS CFD2 (superjunction, fast body diode) —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 650 V —
On-Resistance RDS(on) 41 mOhm —
Continuous Drain Current ID 68.5 A (Tc) —
Power Dissipation PD 500 W (Tc) —
Total Gate Charge Qg 300 nC —
Gate-Source Voltage VGS [DATA_NEEDED: VGS rating] —
Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Thermal Resistance RthJC [DATA_NEEDED: RthJC] —
Body Diode Integrated fast body diode —
패키지 PG-TO247-3 (TO-247, through-hole) TO-247
실장 유형 Through Hole Through Hole
Package Color / Material Green plastic (halogen-aware molding per digchip listing) —
RoHS 상태 Compliant (GREEN package per digchip specification listing) Compliant
Application Segment Industrial —
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 152 A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
On-Resistance (RDS(on)) — 0.099 ohm (typical)
Total Gate Charge (Qg) — 110 nC
Input Capacitance (Ciss) — 4200 pF
Output Capacitance (Coss) — 180 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 12 pF
Avalanche Energy (EAS) — 1.2 J
동작 온도 범위 — -55°C to +150°C
할로겐 프리 — Yes

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