IRF1010ESTRLPBF vs IRF1010ZSTRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF1010ESTRLPBF por Infineon y IRF1010ZSTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF1010ESTRLPBF IRF1010ZSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,00 $0,00
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET planar HEXFET Advanced Process Technology
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 84 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 200 W —
On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V 12 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 86.6 nC 63 nC
Operating Mode Enhancement Enhancement
Drive Voltage 10 V (standard level) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Encapsulado D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263), Surface Mount
Qualification JEDEC standard qualified —
Structure Planar cell (wide SOA) —
Avalanche Testing 100% avalanche energy tested —
Sourcing Multi-vendor, broad distribution availability —
Pb-Free / RoHS PBF (Pb-free) suffix —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) — 75 A at Tc
Continuous Drain Current (Id, distributor listing) — 94 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 7.5 mOhm
RDS(on) (alternate condition) — 14.0 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 140 W at Tc
Junction Operating Temperature — 175 C (max)
Avalanche Rating — Improved repetitive avalanche rating
Gate-Source Voltage (Vgs) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage]
Estado RoHS — RoHS3 Compliant (PBF lead-free suffix)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]

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