IRF1010ESTRLPBF vs IRF1010ZSTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF1010ESTRLPBF par Infineon et IRF1010ZSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF1010ESTRLPBF IRF1010ZSTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $0,00
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET planar HEXFET Advanced Process Technology
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 84 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 200 W —
On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V 12 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 86.6 nC 63 nC
Operating Mode Enhancement Enhancement
Drive Voltage 10 V (standard level) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Boîtier D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263), Surface Mount
Qualification JEDEC standard qualified —
Structure Planar cell (wide SOA) —
Avalanche Testing 100% avalanche energy tested —
Sourcing Multi-vendor, broad distribution availability —
Pb-Free / RoHS PBF (Pb-free) suffix —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) — 75 A at Tc
Continuous Drain Current (Id, distributor listing) — 94 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 7.5 mOhm
RDS(on) (alternate condition) — 14.0 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 140 W at Tc
Junction Operating Temperature — 175 C (max)
Avalanche Rating — Improved repetitive avalanche rating
Gate-Source Voltage (Vgs) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage]
Statut RoHS — RoHS3 Compliant (PBF lead-free suffix)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]

Fiches techniques et ressources

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