IRF520NPBF vs IRFU9024NPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF520NPBF por Infineon y IRFU9024NPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF520NPBF IRFU9024NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,66 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies —
Series HEXFET —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 9.7 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
R_DS(on) max at V_GS=10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 16.7 nC —
Power Dissipation (P_D) at Tc 48 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado TO-220AB (through-hole) IPAK (TO-251AA) Through-Hole
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Nivel MSL 1 (unlimited) —
Estado RoHS Compliant (Pb-free) —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Technology HEXFET (vertical DMOS) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -11 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -44 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 175 mOhm max
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -4 V max
Total Gate Charge (Qg) — 12.7 nC
Input Capacitance (Ciss) — 170 pF
Output Capacitance (Coss) — 92 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 350 pF
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 38 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free, RoHS Compliant
Avalanche Rated — Yes
Generation — Fifth-Generation HEXFET

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