IRF520NPBF vs IRFU9024NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF520NPBF por Infineon e IRFU9024NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF520NPBF IRFU9024NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,66 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies —
Series HEXFET —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 9.7 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
R_DS(on) max at V_GS=10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 16.7 nC —
Power Dissipation (P_D) at Tc 48 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) IPAK (TO-251AA) Through-Hole
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Nível MSL 1 (unlimited) —
Status RoHS Compliant (Pb-free) —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Technology HEXFET (vertical DMOS) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -11 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -44 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 175 mOhm max
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -4 V max
Total Gate Charge (Qg) — 12.7 nC
Input Capacitance (Ciss) — 170 pF
Output Capacitance (Coss) — 92 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 350 pF
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 38 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free, RoHS Compliant
Avalanche Rated — Yes
Generation — Fifth-Generation HEXFET

Fichas técnicas e recursos

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