IRF520NPBF vs IRFU9024NPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRF520NPBF 제조: Infineon 및 IRFU9024NPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRF520NPBF IRFU9024NPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.66 $0.46
Manufacturer Infineon Technologies —
Series HEXFET —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 9.7 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
R_DS(on) max at V_GS=10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 16.7 nC —
Power Dissipation (P_D) at Tc 48 W —
동작 온도 범위 -55C to +175C —
패키지 TO-220AB (through-hole) IPAK (TO-251AA) Through-Hole
실장 유형 Through Hole Through Hole
MSL 레벨 1 (unlimited) —
RoHS 상태 Compliant (Pb-free) —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Technology HEXFET (vertical DMOS) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -11 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -44 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 175 mOhm max
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -4 V max
Total Gate Charge (Qg) — 12.7 nC
Input Capacitance (Ciss) — 170 pF
Output Capacitance (Coss) — 92 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 350 pF
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 38 W
동작 접합 온도 — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free, RoHS Compliant
Avalanche Rated — Yes
Generation — Fifth-Generation HEXFET

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