IRF520NPBF vs IRFU9024NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF520NPBF par Infineon et IRFU9024NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF520NPBF IRFU9024NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,66 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies —
Series HEXFET —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 9.7 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
R_DS(on) max at V_GS=10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 16.7 nC —
Power Dissipation (P_D) at Tc 48 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier TO-220AB (through-hole) IPAK (TO-251AA) Through-Hole
Type de montage Through Hole Through Hole
Niveau MSL 1 (unlimited) —
Statut RoHS Compliant (Pb-free) —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Technology HEXFET (vertical DMOS) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -11 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -44 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 175 mOhm max
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -4 V max
Total Gate Charge (Qg) — 12.7 nC
Input Capacitance (Ciss) — 170 pF
Output Capacitance (Coss) — 92 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 350 pF
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 38 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free, RoHS Compliant
Avalanche Rated — Yes
Generation — Fifth-Generation HEXFET

Fiches techniques et ressources

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