IRF640NSTRLPBF vs IRF3710STRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF640NSTRLPBF por Infineon y IRF3710STRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF640NSTRLPBF IRF3710STRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,89 $1,23
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (5th generation, trench MOSFET) HEXFET / IR MOSFET (planar)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 0.15 ohm —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 86.7 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Rango de temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) D2PAK (TO-263), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount (Tape and Reel) Surface Mount
Lead-Free (PbF) Yes —
Estado RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 57 A
On-Resistance RDS(on) max — 23 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) — 200 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C
Lead-Free — Yes
Tape & Reel Orientation — TRL (left)

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