IRF640NSTRLPBF vs IRF3710STRLPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRF640NSTRLPBF 제조: Infineon 및 IRF3710STRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRF640NSTRLPBF IRF3710STRLPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.89 $1.23
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (5th generation, trench MOSFET) HEXFET / IR MOSFET (planar)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 0.15 ohm —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 86.7 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
동작 접합 온도 범위 -55C to +175C —
패키지 D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) D2PAK (TO-263), surface mount
실장 유형 Surface Mount (Tape and Reel) Surface Mount
Lead-Free (PbF) Yes —
RoHS 상태 Compliant Compliant (Pb-free)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 57 A
On-Resistance RDS(on) max — 23 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) — 200 W
동작 온도 범위 — -55 C to +175 C
Lead-Free — Yes
Tape & Reel Orientation — TRL (left)

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