IRF640NSTRLPBF vs IRF3710STRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRF640NSTRLPBF メーカー: Infineon および IRF3710STRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF - 200V 18A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF640NSTRLPBF - 200V 18A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF640NSTRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF640NSTRLPBF IRF3710STRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.89 $1.23
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (5th generation, trench MOSFET) HEXFET / IR MOSFET (planar)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 0.15 ohm —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 86.7 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
動作接合温度範囲 -55C to +175C —
パッケージ D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) D2PAK (TO-263), surface mount
実装タイプ Surface Mount (Tape and Reel) Surface Mount
Lead-Free (PbF) Yes —
RoHS ステータス Compliant Compliant (Pb-free)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 57 A
On-Resistance RDS(on) max — 23 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) — 200 W
動作温度範囲 — -55 C to +175 C
Lead-Free — Yes
Tape & Reel Orientation — TRL (left)

データシート&リソース

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