IRF7103TRPBF vs IRF7341GTRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7103TRPBF por Infineon y IRF7341GTRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7103TRPBF IRF7341GTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,47 $0,76
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7103TRPBF —
FET Type Dual N-Channel —
Configuration Common Source, Dual Die Dual N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 50 V —
Continuous Drain Current (ID) 3 A 5.1 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM value] —
On-Resistance RDS(on) max 130 mOhm @ VGS=10V —
On-Resistance RDS(on) typ 0.11 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Power Dissipation (PD) 2 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (TJ) -55 C to +175 C
Encapsulado SO-8 (PG-DSO-8-902) 8-SO (SOIC-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET™ (HEXFET equivalent) IR HEXFET Planar MOSFET
Soldering Method Vapour phase, infrared, wave soldering —
Nivel MSL 1 —
Lead-Free Yes (Pb-free per TRPBF suffix) Yes (PBF suffix)
Estado RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) — 2.4 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]

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