IRF7103TRPBF vs IRF7341GTRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRF7103TRPBF от Infineon и IRF7341GTRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRF7103TRPBF | IRF7341GTRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,47 | $0,76 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF7103TRPBF | — |
| FET Type | Dual N-Channel | — |
| Configuration | Common Source, Dual Die | Dual N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 50 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 3 A | 5.1 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 130 mOhm @ VGS=10V | — |
| On-Resistance RDS(on) typ | 0.11 ohm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Total Power Dissipation (PD) | 2 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C (TJ) | -55 C to +175 C |
| Корпус | SO-8 (PG-DSO-8-902) | 8-SO (SOIC-8) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR MOSFET™ (HEXFET equivalent) | IR HEXFET Planar MOSFET |
| Soldering Method | Vapour phase, infrared, wave soldering | — |
| Уровень MSL | 1 | — |
| Lead-Free | Yes (Pb-free per TRPBF suffix) | Yes (PBF suffix) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 50 mOhm at VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) | — | 2.4 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss typical] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |