IRF7103TRPBF vs IRF7341GTRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7103TRPBF par Infineon et IRF7341GTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7103TRPBF IRF7341GTRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,47 $0,76
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7103TRPBF —
FET Type Dual N-Channel —
Configuration Common Source, Dual Die Dual N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 50 V —
Continuous Drain Current (ID) 3 A 5.1 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM value] —
On-Resistance RDS(on) max 130 mOhm @ VGS=10V —
On-Resistance RDS(on) typ 0.11 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Power Dissipation (PD) 2 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (TJ) -55 C to +175 C
Boîtier SO-8 (PG-DSO-8-902) 8-SO (SOIC-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET™ (HEXFET equivalent) IR HEXFET Planar MOSFET
Soldering Method Vapour phase, infrared, wave soldering —
Niveau MSL 1 —
Lead-Free Yes (Pb-free per TRPBF suffix) Yes (PBF suffix)
Statut RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) — 2.4 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]

Fiches techniques et ressources

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