IRF7205TRPBF vs IRF7205PBF Comparación
Comparación detallada lado a lado de IRF7205TRPBF por Infineon y IRF7205PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IRF7205TRPBF | IRF7205PBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,18 | $0,47 |
| FET Type | P-Channel MOSFET | — |
| Technology | IR HEXFET (4th generation) | IR MOSFET (HEXFET, planar cell) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | -4.6 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | 70 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V | 130 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | -1.0 V to -3.0 V | -1 V to -3 V (typical) |
| Total Gate Charge Qg | 27 nC | — |
| Disipación de potencia (TC=25°C) | 2.5 W | — |
| Temperatura de unión de funcionamiento | -55 °C to +150 °C | — |
| Encapsulado | SO-8 (8-SO) | SO-8 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Lead-Free | Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -4.6 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | — | 70 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | [DATA_NEEDED: Pd at TA=25C] |
| Switching Frequency Optimization | — | Below 100 kHz |
| Qualification | — | JEDEC standard |
| Estado RoHS | — | Compliant (Pb-free per PBF suffix) |
| Generation | — | Fourth Generation HEXFET |