IRF7205TRPBF vs IRF7205PBF 比較

詳細な並列比較: IRF7205TRPBF メーカー: Infineon および IRF7205PBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRF7205TRPBF IRF7205PBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.18 $0.47
FET Type P-Channel MOSFET —
Technology IR HEXFET (4th generation) IR MOSFET (HEXFET, planar cell)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C -4.6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 70 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V 130 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.0 V to -3.0 V -1 V to -3 V (typical)
Total Gate Charge Qg 27 nC —
消費電力(TC=25°C) 2.5 W —
動作接合温度 -55 °C to +150 °C —
パッケージ SO-8 (8-SO) SO-8
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -4.6 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 70 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
動作温度範囲 — -55 C to +150 C (junction)
Power Dissipation (TA=25C) — [DATA_NEEDED: Pd at TA=25C]
Switching Frequency Optimization — Below 100 kHz
Qualification — JEDEC standard
RoHS ステータス — Compliant (Pb-free per PBF suffix)
Generation — Fourth Generation HEXFET

データシート&リソース

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