IRF7205TRPBF vs IRF7205PBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF7205TRPBF par Infineon et IRF7205PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF7205TRPBF | IRF7205PBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,18 | $0,47 |
| FET Type | P-Channel MOSFET | — |
| Technology | IR HEXFET (4th generation) | IR MOSFET (HEXFET, planar cell) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | -4.6 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | 70 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V | 130 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | -1.0 V to -3.0 V | -1 V to -3 V (typical) |
| Total Gate Charge Qg | 27 nC | — |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | 2.5 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +150 °C | — |
| Boîtier | SO-8 (8-SO) | SO-8 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Lead-Free | Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -4.6 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | — | 70 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | [DATA_NEEDED: Pd at TA=25C] |
| Switching Frequency Optimization | — | Below 100 kHz |
| Qualification | — | JEDEC standard |
| Statut RoHS | — | Compliant (Pb-free per PBF suffix) |
| Generation | — | Fourth Generation HEXFET |