IRF7205TRPBF vs IRF7205PBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF7205TRPBF от Infineon и IRF7205PBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF - P-Ch -30V -4.6A 70mΩ SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7205TRPBF - P-Ch -30V -4.6A 70mΩ SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7205TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF7205TRPBF IRF7205PBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,18 $0,47
FET Type P-Channel MOSFET —
Technology IR HEXFET (4th generation) IR MOSFET (HEXFET, planar cell)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C -4.6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 70 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V 130 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.0 V to -3.0 V -1 V to -3 V (typical)
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Рассеиваемая мощность (TC=25°C) 2.5 W —
Рабочая температура перехода -55 °C to +150 °C —
Корпус SO-8 (8-SO) SO-8
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -4.6 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 70 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Диапазон рабочих температур — -55 C to +150 C (junction)
Power Dissipation (TA=25C) — [DATA_NEEDED: Pd at TA=25C]
Switching Frequency Optimization — Below 100 kHz
Qualification — JEDEC standard
Статус RoHS — Compliant (Pb-free per PBF suffix)
Generation — Fourth Generation HEXFET

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену