IRF7380TRPBF vs IRF7854TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7380TRPBF por Infineon y IRF7854TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7380TRPBF IRF7854TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,32 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7380TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 3.6 A —
On-Resistance RDS(on) max 73 mOhm at VGS = 10 V —
Technology IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch) HEXFET (planar N-channel)
Total Power Dissipation (PD) 2 W —
Encapsulado SO-8 (8-SO, SOIC-8) SO-8
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +150 C —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free plating, suffix PBF) Yes (PBF suffix, lead-free)
Packaging Tape & Reel (suffix TR) —
Primary Application High-frequency DC-DC converters —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Rango de temperatura de funcionamiento — -55°C to +150°C (TJ)
Qualification — JEDEC industrial, Normal level
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

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