IRF7380TRPBF vs IRF7854TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7380TRPBF por Infineon e IRF7854TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7380TRPBF IRF7854TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,32 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7380TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 3.6 A —
On-Resistance RDS(on) max 73 mOhm at VGS = 10 V —
Technology IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch) HEXFET (planar N-channel)
Total Power Dissipation (PD) 2 W —
Encapsulamento SO-8 (8-SO, SOIC-8) SO-8
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de junção de operação -55 C to +150 C —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free plating, suffix PBF) Yes (PBF suffix, lead-free)
Packaging Tape & Reel (suffix TR) —
Primary Application High-frequency DC-DC converters —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +150°C (TJ)
Qualification — JEDEC industrial, Normal level
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

Fichas técnicas e recursos

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